సౌర ఫోటోవోల్టాయిక్ కోసం N-రకం మరియు P-రకం మోనోక్రిస్టలైన్ సిలికాన్ పొరల మధ్య ప్రధాన తేడాలు
సౌర ఫోటోవోల్టాయిక్స్ కోసం N-రకం మరియు P-రకం మోనోక్రిస్టలైన్ సిలికాన్ పొరల మధ్య ప్రధాన తేడాలు
మోనోక్రిస్టలైన్ సిలికాన్ పొరలు బలహీన వాహకతతో పాక్షిక-లోహాల భౌతిక లక్షణాలను కలిగి ఉంటాయి మరియు పెరుగుతున్న ఉష్ణోగ్రతతో వాటి వాహకత పెరుగుతుంది. వారు ముఖ్యమైన సెమీకండక్టింగ్ లక్షణాలను కూడా కలిగి ఉన్నారు. అల్ట్రా-ప్యూర్ మోనోక్రిస్టలైన్ సిలికాన్ పొరలను చిన్న మొత్తంలో బోరాన్‌తో డోపింగ్ చేయడం ద్వారా, P-రకం సిలికాన్ సెమీకండక్టర్‌ను రూపొందించడానికి వాహకతను పెంచవచ్చు. అదేవిధంగా, చిన్న మొత్తంలో భాస్వరం లేదా ఆర్సెనిక్‌తో డోపింగ్ చేయడం వల్ల కూడా వాహకత పెరుగుతుంది, ఇది N-రకం సిలికాన్ సెమీకండక్టర్‌ను ఏర్పరుస్తుంది. కాబట్టి, P-రకం మరియు N-రకం సిలికాన్ పొరల మధ్య తేడాలు ఏమిటి?
పి-టైప్ మరియు ఎన్-టైప్ మోనోక్రిస్టలైన్ సిలికాన్ పొరల మధ్య ప్రధాన తేడాలు క్రింది విధంగా ఉన్నాయి:
డోపాంట్: మోనోక్రిస్టలైన్ సిలికాన్‌లో, ఫాస్పరస్‌తో డోపింగ్ చేస్తే అది N-రకం, మరియు బోరాన్‌తో డోపింగ్ చేస్తే అది P-రకం.
వాహకత: N-రకం ఎలక్ట్రాన్-కండక్టింగ్, మరియు P-రకం రంధ్రం-వాహకం.
పనితీరు: ఎక్కువ భాస్వరం N-రకంలోకి డోప్ చేయబడితే, ఎక్కువ ఉచిత ఎలక్ట్రాన్లు ఉంటాయి, బలమైన వాహకత మరియు తక్కువ రెసిస్టివిటీ. ఎక్కువ బోరాన్ P-రకంలోకి డోప్ చేయబడితే, సిలికాన్‌ను భర్తీ చేయడం ద్వారా ఎక్కువ రంధ్రాలు ఉత్పత్తి చేయబడతాయి, బలమైన వాహకత మరియు తక్కువ రెసిస్టివిటీ.
ప్రస్తుతం, ఫోటోవోల్టాయిక్ పరిశ్రమలో P-రకం సిలికాన్ పొరలు ప్రధాన స్రవంతి ఉత్పత్తులు. P-రకం సిలికాన్ పొరలు తయారు చేయడం సులభం మరియు తక్కువ ఖర్చుతో ఉంటాయి. N-రకం సిలికాన్ పొరలు సాధారణంగా ఎక్కువ మైనారిటీ క్యారియర్ జీవితకాలాన్ని కలిగి ఉంటాయి మరియు సౌర ఘటాల సామర్థ్యాన్ని అధికం చేయవచ్చు, కానీ ప్రక్రియ మరింత క్లిష్టంగా ఉంటుంది. N-రకం సిలికాన్ పొరలు భాస్వరంతో డోప్ చేయబడతాయి, ఇవి సిలికాన్‌తో తక్కువ ద్రావణీయతను కలిగి ఉంటాయి. రాడ్ డ్రాయింగ్ సమయంలో, భాస్వరం సమానంగా పంపిణీ చేయబడదు. P-రకం సిలికాన్ పొరలు బోరాన్‌తో డోప్ చేయబడతాయి, ఇది సిలికాన్‌కు సమానమైన విభజన గుణకం కలిగి ఉంటుంది మరియు వ్యాప్తి యొక్క ఏకరూపతను నియంత్రించడం సులభం.